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国产光刻机即将迎来大突破!只需掌握这项“黑

来源:互联网日期:2020-08-06 15:27 浏览:

【7月29日讯】相信大家都知道,国产芯片发展之所以一直都受到制约,很大程度上也是因为光刻机设备的“制约”,国内的芯片代工巨头无法获得最先进的EUV极紫外光刻机设备,尤其是中兴国际,在2018年就曾向ASML订购了一台5nmEUV极紫外光刻机设备,但一直都受到了“阻力”,导致中芯国际无法正常购得这台先进的光刻机设备,导致国内芯片制造技术整体较为落后,因为目前国产光刻机设备最多也只能够生产90nm芯片,反观ASML的EUV光刻机已经可以实现3nm制程工艺节点了。

如何能够提高国产光刻机的制造工艺水平,也成为了广大网友们最为关心的话题,同时也成为了国内众多芯片企业想要共同攻克的难题,而根据业内人士所透露的信息显示,我国企业只需要掌握浸润式技术,不需要攻克EUV光源技术,也可以实现10nm芯片的量产,甚至还可以实现7nm芯片的量产;何为浸润式技术呢?

目前全球光刻机设备主要采用了汞灯光源、DUV光源以及EUV光源这三种技术,其中汞灯光源技术是最为原始的技术,早已经不再适用于现在的芯片工艺制造,而对于DUV光源技术也分为三种,它们分别是KrF、ArF以及F2,但当时的光刻机设备也在攻克157nm技术时受限,但很快台积电的工程师提出了全新的解决方案,那就是“浸润式”,直接使用水作为介质,直接攻破了以空气为介质的难题无法实现157nm 技术的难题,通过水的折射,来进一步将波长变得更小,从而进一步提升光刻机的制造工艺精度。

在得到了台积电工程师的鼎力相助后,ASML便很快就生产出了全球第一台浸润式光刻机设备,通过利用193nm波长的DUV光源,就实现了等效134nm波长光源技术。

随后Intel、三星这样的大厂也纷纷开始试验,最终也是经过了一系列的改造之后,直接将原有的193nm波长的光源的光刻机,加入浸润式技术,就可以实现10nm、7nm的芯片制造,所以对于国内最强的光刻机制造厂商—上海微电子而言,只需要掌握浸润式即使,就可以让自家的光刻机制造工艺水准再提升很多个等级,直接可以实现10nm、7nm芯片的量产,让国产芯片制造不再受到“卡脖子”的威胁。

最后:各位小伙伴们,对于国产芯片制造的短板—光刻机设备将会取得长足发展,你们都有什么样的意见和看法呢?欢迎在评论区中留言讨论,期待你们的精彩评论!

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